Własności elementów fotowoltaicznych, otrzymanych metodą implantacji jonów na GaAs
Autor:Bryłowska, Irena. ; Mazurek, Piotr (fizyka). ; Paprocki, Krzysztof (fizyka). ; Subotowicz, Mieczysław (1924-2001). ; Ścibor, Halina.
Temat i słowa kluczowe: Opis:Tytuł nagłówkowy. ; Bibliografia na stronie 158. ; Streszczenie w języku angielskim, rosyjskim. ; artykul w: Annales Universitatis Mariae Curie-Skłodowska. Sectio AAA, Physica Vol. 38, 12 (1983), strony 153-158 ; tytul rownolegly: Properties of the photovoltaic GaAs-cells produced by implantation method ; tytul rownolegly: Svojstva fotovolʹtaičeskih èlementov postroennyh na GaAs metodomvnedreniâ ionov
Wydawca: Miejsce wydania: Współtwórca:Mazurek, Piotr (fizyka). ; Paprocki, Krzysztof (fizyka). ; Subotowicz, Mieczysław (1924-2001). ; Ścibor, Halina.
Data wydania: Typ zasobu: Format: Źródło:Zasoby Biblioteki Głównej UMCS
Język: Powiązania: Prawa: Źródło finansowania :Dofinansowano z programu "Społeczna odpowiedzialność nauki" Ministra Nauki i Szkolnictwa Wyższego